Space critical EEE components for EU non-dependence – GaN MMICs mm-Wave Foundations (Phase A): Development and Industrialization of Semi-insulating SiC Substrate Capabilities

Si tratta di un'opportunità di finanziamento nell'ambito del programma Horizon Europe, Work Programme 2026-2027, specificamente dedicata allo sviluppo e all'industrializzazione di substrati in carburo di silicio semi-isolante (semi-insulating SiC substrate) per applicazioni spaziali critiche. Il bando rientra nella più ampia iniziativa europea volta a ridurre la dipendenza tecnologica dell'Unione Europea da fornitori extra-europei per componenti elettronici, elettrici ed elettromeccanici (EEE) destinati al settore spaziale, con particolare riferimento ai circuiti integrati monolitici a microonde in nitruro di gallio (GaN MMICs) per frequenze millimetriche.

L'obiettivo centrale è sostenere la Fase A di un percorso di sviluppo e industrializzazione che consenta all'Europa di acquisire capacità autonome nella produzione di substrati SiC semi-isolanti di qualità spaziale, riducendo così la dipendenza da tecnologie e fornitori non europei in un comparto considerato strategico per la sicurezza e la competitività dell'Unione. Il bando si inserisce nel quadro della politica europea di autonomia tecnologica nel settore spaziale e delle comunicazioni avanzate.

Dal punto di vista della tipologia di agevolazione, il finanziamento è erogato sotto forma di contributo a fondo perduto (grant) nell'ambito di Horizon Europe, il principale programma europeo per la ricerca e l'innovazione. La natura dell'azione è quella di un'azione di ricerca e innovazione o di innovazione, con modalità e percentuali di cofinanziamento definite nelle condizioni specifiche del topic, alle quali si rimanda per i dettagli puntuali sugli importi e sulle aliquote di finanziamento.

Sul piano dei soggetti ammissibili, possono partecipare tutte le persone giuridiche, indipendentemente dal luogo di stabilimento, purché rispettino le condizioni previste dal Regolamento Horizon Europe. Questo include imprese private di qualsiasi dimensione, università, centri di ricerca, enti pubblici e organizzazioni internazionali. Tuttavia, il bando prevede restrizioni significative alla partecipazione di soggetti stabiliti in Cina: le entità cinesi non sono in linea generale eleggibili per le Innovation Actions, e per le Research and Innovation Actions la loro partecipazione è esclusa salvo specifiche eccezioni previste per determinati cluster tematici che non includono il settore digitale, industriale e spaziale rilevante per questo bando. Inoltre, le università cinesi sotto la supervisione del Ministero dell'Industria e dell'Informatica (MIIT) sono escluse da qualsiasi partecipazione all'intero Work Programme. Sono altresì escluse le entità classificate come "high-risk suppliers" nell'ambito del quadro europeo sulla cybersicurezza delle reti 5G, in ragione dei rischi di trasferimento tecnologico e delle dipendenze strategiche che si intende evitare.

Per quanto riguarda le spese ammissibili e gli ambiti tematici finanziabili, il bando copre attività di ricerca, sviluppo tecnologico e industrializzazione legate alla produzione di substrati SiC semi-isolanti per applicazioni spaziali, con focus sulle tecnologie GaN per circuiti integrati a microonde in banda millimetrica. Le spese tipicamente ammissibili nell'ambito di Horizon Europe comprendono costi di personale, strumentazione e attrezzature, materiali di consumo, subappalti, costi indiretti e altre voci previste dal modello di grant agreement europeo, secondo quanto dettagliato nell'Annotated Grant Agreement (AGA) disponibile sul Portale.

I requisiti chiave per la partecipazione includono la registrazione nel Participant Register del Portale EU Funding and Tenders per ottenere un codice PIC, la validazione da parte del Central Validation Service prima della firma del grant agreement, e la presentazione di una proposta completa in tutte le sue parti obbligatorie. La proposta deve includere un piano per lo sfruttamento e la disseminazione dei risultati, comprensivo di attività di comunicazione e, ove pertinente, di una strategia per la commercializzazione. Se i risultati sono destinati a essere sfruttati prevalentemente in paesi terzi non associati, i proponenti devono argomentare in che modo tale sfruttamento sia nell'interesse dell'Unione Europea.

La procedura di accesso avviene esclusivamente per via elettronica tramite il sistema di submission del Portale EU Funding and Tenders, accessibile dalla pagina del topic nella sezione Search Funding and Tenders. Non è ammessa la presentazione cartacea. Le domande devono essere redatte utilizzando i moduli disponibili all'interno del sistema elettronico e rispettare i limiti di pagine previsti: per una proposta completa il limite generale è di 40 pagine, salvo diverse indicazioni nelle condizioni specifiche del topic. Per le procedure a due stadi, la prima fase prevede un limite di 10 pagine. Il superamento dei limiti comporta la resa automaticamente invisibile delle pagine eccedenti, che non saranno valutate.

Per quanto riguarda le tempistiche, il testo disponibile non riporta scadenze specifiche per questo topic: la data di chiusura della call e le eventuali finestre temporali di presentazione sono indicate nella pagina dedicata al topic sul Portale, alla quale si raccomanda di fare riferimento diretto per informazioni aggiornate e vincolanti.

La ragione principale per cui un'impresa italiana operante nel settore della microelettronica, dei materiali avanzati, della componentistica spaziale o delle tecnologie a semiconduttore dovrebbe valutare seriamente questo bando risiede nella sua natura strategica e nel livello di priorità politica che l'Unione Europea attribuisce all'autonomia tecnologica nel comparto spaziale. Si tratta di un'opportunità per posizionarsi come attore chiave in una filiera tecnologica ad alto valore aggiunto, con accesso a finanziamenti europei a fondo perduto, visibilità internazionale e possibilità di costruire partnership con i principali player europei del settore. Le imprese con competenze in materiali SiC, processi epitassiali, tecnologie GaN o componentistica per applicazioni spaziali e difesa sono quelle che possono trarre il maggiore beneficio da questa opportunità.